Browsing by Author "Солодуха, В. А."

Now showing items 1-12 of 12

    • Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Анализ дефектов слоя посадки кристаллов в мощных МОП транзисторах из разностных тепловых спектров при термошоковом воздействии / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : ...
      2018-02-08

    • Измерение глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин методом оже-спектроскопии 

      Солодуха, В. А.; Белоус, А. И.; Чигирь, Г. Г. (БНТУ, 2016)
      Предложен метод измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевых пластин, основанный на использовании оже-спектрометра с прецизионным распылением поверхностных слоев кремния и регистрацией интенсивности выхода оже-электронов. Для измерения глубины нарушенного слоя с помощью оже-спектроскопии снимается зависимость количества выходящих оже-электронов от времени распыления ...
      2016-07-27

    • Контроль параметров границы раздела кремний-двуокись кремния после быстрой термообработки методами исследования вольтфарадных характеристик и зондовой электрометрии 

      Жарин, А. Л.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А. (БНТУ, 2018)
      Контроль параметров границы раздела кремний-двуокись кремния после быстрой термообработки методами исследования вольтфарадных характеристик и зондовой электрометрии / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : ...
      2019-04-17

    • Методы и средства фотостимулированной зондовой электрометрии для контроля параметров полупроводниковых пластин 

      Жарин, А. Л.; Петлицкий, А. Н.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Тявловский, А. К. (БНТУ, 2016)
      Методы и средства фотостимулированной зондовой электрометрии для контроля параметров полупроводниковых пластин / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 12-14.
      2017-02-28

    • Мониторинг технологического процесса герметизации интегральных схем 

      Солодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Рубцевич, И. И.; Керенцев, А. Ф.; Довженко, А. А.; Чирко, И. В. (БНТУ, 2013)
      Высокая надежность интегральных схем специального назначения в металлокерамических корпусах на стадии производства достигается в результате минимизации содержания влаги в корпусе и постоянного измерения параметров среды герметизации. Показано, что использование приборов контроля режимов контактной сварки и приборов для комплексного измерения параметров атмосферы установки ...
      2013-12-02

    • Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температуры 

      Волкенштейн, С. С.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А. (БНТУ, 2017)
      Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температуры / С. С. Волкенштейн [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - С. 284-285.
      2018-02-07

    • Сравнение методов T3Ster и тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии для исследования структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2017)
      Сравнение методов T3Ster и тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии для исследования структуры внутреннего теплового сопротивления полупроводниковых приборов / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ...
      2018-02-05

    • Формирование и исследование диодов Шоттки на основе силицидов платины и никеля 

      Маркевич, М. И.; Чапланов, А. М.; Малышко, А. Н.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Сарычев, О. Э.; Щербакова, Е. Н. (2014)
      Диоды Шоттки находят широкое применение в системах электроники. В настоящей работе определена высота барьера диодов Шоттки, сформированных на основе тонкоплёночной системы NiV-Pt при различных режимах отжига. Методами электронографии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы изменения элементного состава и установлены фазовые превращения, происходящие в данных системах при ...
      2021-01-20

    • Характеризация электрофизических свойств границы раздела кремний-двуокись кремния с использованием методов зондовой электрометрии 

      Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Филипеня, В. А.; Воробей, Р. И.; Гусев, О. К.; Жарин, А. Л.; Пантелеев, К. В.; Свистун, А. И.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л. (БНТУ, 2017)
      Анализ микронеоднородностей в системе кремний-двуокись кремния становится наиболее актуальным в связи с переходом микроэлектронной промышленности к субмикронным проектным нормам и уменьшением толщины подзатворного диэлектрика. Целью исследования являлось развитие методов неразрушающего контроля полупроводниковых пластин на основе определения электрофизических свойств границы ...
      2017-12-15

    • Эволюция спектров теплового сопротивления мощных моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии высокоинтенсивных 

      Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф. (БНТУ, 2017)
      Эволюция спектров теплового сопротивления мощных моп транзисторов КП723 и КП7209 при воздействии высокоинтенсивных / Ю. А. Бумай [и др.] // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - Минск : БНТУ, 2017. - ...
      2018-02-08

    • Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов 

      Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Чигирь, Г. Г.; Филипеня, В. А.; Горушко, В. А. (БНТУ, 2018)
      Ключевым элементом, определяющим стабильность полупроводниковых приборов, является подзатворный диэлектрик. По мере уменьшения его толщины в процессе масштабирования растет совокупный объем факторов, определяющих его электрофизические свойства. Целью данной работы являлась разработка экспрессного метода контроля времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика и исследование ...
      2019-01-02

    • Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел 

      Карпович, И. А.; Лебедев, В. И.; Молчанов, А. Г.; Солодуха, В. А.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В. (БНТУ, 2018)
      Электрофизический метод контроля параметров автомобильных масел / И. А. Карпович [и др.] // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 199-201.
      2019-04-23